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無源製程產品介紹

IPD2M

 
  • 適用於無源電路芯片設計與製造;
  • 匹配電路、功分器/合成器、濾波器、耦合器等。

GaAs製程產品介紹

PPA25: 0.25 µm Power pHEMT工藝

工藝特點:
  • 0.25μm Optical T-gate
  • 平坦化工藝(離子注入隔離)
  • 特殊 Double Recess結構
  • High-Q 鈍化層
  • MIM 電容
  • TaN 電阻(50Ω/sq)
  • GaAs 電阻
  • 空氣橋
  • 背麵通孔
  • Protection overcoat(PBO)
  • Operation up to Vd=8V
典型技術參數:

Idss=360mA/mm,Gm=450mS/mm,BVgd=18V,Vth=-1.1V
 
  • 適用於寬帶、窄帶中小功率放大器,可實現多種MMIC
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